Anvendelse af mikroskop i strategisk nye LED-industri
1, Introduktion af safir substratmaterialer
På grund af safirens gode isolerende egenskaber er dielektrisk tab lille, høj temperaturbestandighed, korrosionsbestandighed. God termisk ledningsevne, i den mekaniske styrke er høj nok. Og kan forarbejdes til en flad overflade. Transmissionsbåndet er bredt. Derfor udbredt i industrien, nationalt forsvar, videnskabelig forskning på mange områder. Samtidig er det også et godt substratmateriale til en lang række lysemitterende dioder. I generationen af lysemitterende dioder er * lovende at blive en høj lysstyrke lysemitterende diode familie af safir substrat substrat af den næste generation af fluorescerende lamper, halvleder lysemitterende enhed substrat materialer. På nuværende tidspunkt er disse lysemitterende dioder med høj lysstyrke blevet meget brugt i reklamer, trafiklys, instrumentlys; og kirurgiske lys og andre områder. Med den stigende anvendelse af lysemitterende dioder med høj lysstyrke.
LED Sapphire (Sapphire) er en enkelt krystal af aluminiumoxid, også kendt som korund. Safirkrystal har fremragende optiske egenskaber, mekaniske egenskaber og kemisk stabilitet, høj styrke, hårdhed, udvaskningsmodstand, kan være tæt på 2000 grader høj temperatur under barske forhold. Ifølge forskning er der kun fire substratmaterialer, der kan påføres lysdioder (se tabel I nedenfor). Safir, som en vigtig teknologi krystal, har nu dannet en mere moderigtig og moden applikation i LED-industrien.
2. Ansøgninger
Ved hjælp af Leicas polariserende mikroskop er det muligt at identificere unormal dobbeltbrydning i safirkrystaller. Under visse omstændigheder kan du ved hjælp af keglelysmikroskop observere krystallens interferensmønster, bestemme krystallens aksialitet, bruges til at observere, om hver wafers retning er ensartet, for at bedømme substratet er godt eller dårligt.
Leica mikroskop, scanning elektronmikroskop i produktionen af LED epitaksial wafer, LED chip forberedelse proces applikationer
1, Introduktion af LED epitaksial wafer
LED-epitaksial wafer-vækst af det grundlæggende princip er: i et stykke opvarmning til den passende temperatur af substratsubstratet (hovedsageligt safir og SiC, Si), styres det gasformige stof InGaAlP transport til overfladen af substratet, væksten af en specifik enkelt-krystal film. Den nuværende LED-epitaksiale wafer-vækstteknologi bruger hovedsageligt organisk metal kemisk dampaflejringsmetode (MOCVD)
2, LED-chip introduktion
LED-chip, også kendt som LED-lysemitterende chip, er kernekomponenten i led-lys, som også omtales som PN-junction. Dens hovedfunktion er: at omdanne elektrisk energi til lysenergi, chippens hovedmateriale er monokrystallinsk silicium. Halvlederchip består af to dele, en del er P-type halvleder, hvor huller dominerer, den anden ende er N-type halvleder, på denne side er hovedsagelig elektronisk. Men når disse to halvledere er forbundet, dannes der en PN-forbindelse mellem dem. Når strømmen virker på denne wafer gennem ledningen, skubbes elektronerne til P-området, hvor elektronerne sammensættes med hullerne, og derefter udsendes energi i form af fotoner, som er princippet for LED-luminescens. Og lysets bølgelængde, som er lysets farve, bestemmes af dannelsen af PN-forbindelsesmaterialer.
3, Anvendelse:
a) Brug SEM til at detektere dislokationskorrosionsmorfologiinformationen af krystaloverfladen efter epitaksial wafervækst;
Betydningen givet af dislokationskorrosionsmorfologien af krystaloverfladen: dislokationskorrosionen af hver prøve præsenterer forskellige former, og krystallen tilhører punktgruppen, og krystallens struktur bestemmes af rollen som kemisk ætsende middel er at ødelægge molekylerne og atomer i krystal-vekselvirkningerne mellem bindingen, bindingskraften af den mindre, der først skal ødelægges, for at danne en bestemt form af korrosion af korrosion af et bestemt sted, så et godt billede af korrosion af en korrosion af stedet har været detaljerne i ** gengivelsen, kan fuldt ud inkorporeres i kvaliteten af krystal vækstmønster.
