Sådan bedømmes polariteten af en triode med et pointer-multimeter
①Base b-diskrimination, pointer-multimeterskiven til 1K blok, den sorte pen adgang til en hvilken som helst af krystaltransistorfødderne, rød pen skulle kontakte de to andre fødder, måle den positive og negative modstandsværdi af transistoren, indtil der er to målte modstandsværdier er meget store (hvis målingen af en modstandsværdi er meget stor, den anden modstandsværdi af fænomenet er meget lille, på dette tidspunkt skal du skifte den sorte pen til en elektrode igen), så får den sorte pen adgang til elektroden er bunden af trioden b. Og den testede krystaltriode er PNP-type krystaltriode. Måling), er den sorte penadgang til elektroden basen af transistoren b. Og den målte krystaltransistor til PNP-krystaltransistoren. På dette tidspunkt, hvis modstandsværdien af de to elektroder er meget lille, er den sorte pen forbundet til bunden af transistoren b, og den målte krystaltriode er en krystaltriode af NPN-typen.
② opsamler c og emitter e diskrimination; for germaniummateriale PNP-type og NPN-type krystaltransistor, kan du bruge ovenstående metode til at bestemme bunden af transistoren b, og derefter pegermultimeteret placeret i R * 1K gearet, der måler modstanden af de resterende to elektroder, de to penne mod justeringen af modstandsværdien for den mindre måling, hvis den målte transistor PNP-type, så er elektroden, som den røde pen har adgang til, kollektoren. er emitteren e, elektroden, som den sorte pen har adgang til, er solfangeren c. For NPN-type siliciumkrystaltransistorer er elektroden, som den røde pen har adgang til, emitteren e, elektroden, som den sorte pen får adgang til, er kollektoren c.
For NPN-type siliciumkrystaltransistorer har basen b og kollektor c adgang til en 100KΩ modstand, i henhold til ovenstående målinger, ud over basen b udover måling af modstanden mellem de to elektroder, hvor modstandsværdien på en mindre måling, den sorte pen adgang til kollektoren på transistoren c, elektroden, som den røde pen har adgang til, er emitteren.
Kend krystaltriodens tre poler, denne gang med en meget praktisk måde at indledningsvis estimere forstærkningskapaciteten af krystaltrioden.
For silicium materiale NPN-type krystal transistor; multimeter gearvælgeren til Rx1K position, den røde pen til solfangeren c, den sorte pen til emitteren e, basen er forladt, denne gang en hånd klemme transistorens solfanger c, den menneskelige krop svarer til en base bias modstand, slikke bunden af transistoren med spidsen af deres tunge, på dette tidspunkt pointer multimeter pointer, vil være fra modstanden af sagen af stor værdi! På dette tidspunkt vil pointer-multimeterets nål skifte fra en stor modstandsværdi til en meget lille modstandsværdi (dvs. oscillerende modstandsværdi). Denne metode er lidt jord, men den er meget anvendelig.
