Hvordan man bedømmer kvaliteten af komponenterne med et multimeter
1. Påvisning af almindelige dioder
Mål med et MF47 -multimeter, tilslut de røde og sorte sonder til begge ender af dioden, læs aflæsningen og byt derefter sonderne til måling. Baseret på resultaterne af to målinger er den fremadrettede modstandsværdi af germaniumdioder med lav effekt normalt 300-500 ω, mens siliciumdiodes er ca. 1K Ω eller større. Den omvendte resistens af germaniumrøret er adskillige titusinder af kiloohms, og den omvendte modstand af siliciumrør er over 500K Ω (værdien af højeffektdiode er meget mindre). En god diode har en lav fremadrettet modstand og en høj omvendt modstand, og jo større er forskellen i fremad og omvendt modstand, jo bedre. Hvis den målte fremad- og omvendt modstand er meget lille og tæt på nul, indikerer det, at dioden er kort, der er cirkueret internt; Hvis den forreste og omvendte modstand er meget høj eller har en tendens til uendelig, indikerer det, at der er et åbent kredsløb inde i røret. I begge tilfælde skal dioden skrotes.
Ved vejtest: Testning af den fremadrettede og omvendte modstand af diodens PN -krydset gør det lettere at bestemme, om dioden oplever en nedbrydningskortslutning eller et åbent kredsløb.
2. PN Junction Detection
Indstil det digitale multimeter til diodetilstand, og måle PN -krydset med sonden. Hvis det ledes i den forreste retning, er det viste antal den fremadrettede spændingsfald af PN -krydset. Først skal du bestemme samleren og emitterelektroderne; Mål den forreste spændingsfald af to PN -kryds med en sonde, hvor emitteren har et højere spændingsfald og samleren har et lavere spændingsfald. Ved test af to kryds, hvis den røde sonde er tilsluttet den fælles pol, er den testede transistor af NPN -type, og den røde sonde er forbundet til basen B; Hvis den sorte sonde er tilsluttet den fælles terminal, er den testede transistor af PNP -type, og denne terminal er basen b. Efter at transistoren er beskadiget, er der to situationer til PN -krydset: nedbrydningskortslutning og åbent kredsløb.
Ved kredsløbstest: i kredsløbstest af en transistor opnås faktisk ved at teste den fremadrettede og omvendte modstand i PN -krydset for at bestemme, om transistoren er beskadiget. Grenmodstanden er større end den fremadrettede modstand i PN -krydset. Normalt bør der være en signifikant forskel i den målte fremad- og omvendt modstand, ellers vil PN -krydset blive beskadiget. Når grenmodstanden er mindre end den fremadrettede modstand i PN -krydset, skal grenen kobles fra, ellers kan transistorens kvalitet ikke bestemmes.
3. trefase ensretter bro moduldetektion
At tage Semikron -ensretter Bridge -modulet som et eksempel, som vist i den vedhæftede figur. Indstil det digitale multimeter til diodetesttilstand, tilslut den sorte sonde til COM og den røde sonde til V ω, og brug de røde og sorte sonder til at måle frem og omvendt diodegenskaber mellem faser 3, 4 og 5 og poler 2 og 1, henholdsvis til at kontrollere og bestemme, om ensartet broen er intakt. Jo større forskellen i de målte positive og negative egenskaber, jo bedre; Hvis de fremadrettede og omvendte retninger er nul, indikerer det, at den detekterede fase er blevet nedbrudt og kort cirkueret; Hvis både fremad- og omvendt retninger er uendelige, indikerer det, at den detekterede fase er blevet afbrudt. Hvis en fase af ensretteringsbromodulet er beskadiget, skal det udskiftes.
4. Inverter IGBT -moduldetektion
Indstil det digitale multimeter til diodetesttilstand, og test de forreste og omvendte diodegenskaber mellem IGBT -moduler C1. E1 og C2. E2 såvel som mellem port G og E1, E2 for at bestemme, om IGBT -modulet er intakt.
