Hvordan man løser problemet med overdreven stråling fra skiftende strømforsyningsenhed
Skiftende strømforsyningsspænding, strømændringshastigheden er meget høj, hvilket resulterer i større intensitet af interferens; interferenskilder er hovedsageligt koncentreret i strømskifteperioden og forbundet til kølepladen og højniveautransformeren, i forhold til placeringen af det digitale kredsløbsinterferenskilde er tydeligere; koblingsfrekvensen er ikke høj (fra snesevis af kHz og flere megahertz), den vigtigste form for interferens er ledningsinterferens og nærfeltsinterferens.
Specifikke individuelle frekvenspunkter over løsningen er som følger:
Inden for 1MHz:
Differential mode interferens er den vigtigste 1. Forøg X kapacitansen; 2. Tilføj differential mode induktans; 3. Lille strømforsyning kan bruges PI-type filterbehandling (det anbefales, at de elektrolytiske kondensatorer nær transformatoren kan vælges større).
1M-5MHz:
Differential-mode common-mode-blanding, ved hjælp af input-siden og en række X-kondensatorer til at filtrere den differentielle berøringsinterferens fra og analysere, hvilken slags interferens, der overstiger standarden, og løse det;
5MHz:
Over til almindelig berøringsinterferens er hovedsagelig ved hjælp af metoden til at undertrykke almindelig berøring. For skallen jordet, i jorden linje med en magnetisk ring omkring 2 cirkler vil være mere end 10MHZ interferens har en større dæmpning (diudiu2006); for 25 - 30MHZ, men kan bruges til at øge Y-kapacitansen til jorden, i transformeren uden for brødkobberet, ændre PCBLAYOUT, udgangslinjen foran tilslutningen af en to-leder og vikling af en lille magnetisk ring, minimum 10 omgange rundt om udgangsensretterrørets ender og RC-filteret.
1M-5MHZ:
Differential mode common-mode blanding, ved at bruge inputsiden parallelt med en serie af X kapacitans til at filtrere den differentielle interferens fra og analysere hvilken interferens der overstiger standarden og for at løse problemet, 1. For differential mode interferens overstiger standarden justeret til X kapacitans, tilføje en differential mode induktans, differential mode induktans; 2. For common-mode interferens overstiger standarden kan tilføjes til common-mode induktans, valget af en rimelig mængde af induktans til at inhibere; 3. Du kan ændre karakteristika for ensretterdioden til at håndtere et par hurtige dioder, såsom FR107 et par almindelige ensretterdioder 1N4007.
Over 5MHz:
Den fælles berøringsinterferens er den vigtigste, og metoden til at undertrykke den fælles berøring bruges.
For skallen jordet, i jordlinjen med en magnetisk ringstreng omkring 2-3 drejninger vil være mere end 10MHZ interferens har en større dæmpningseffekt; kan vælge at stikke kobberfolie umiddelbart efter transformatorens kerne, kobberfolie lukket sløjfe. Håndter back-end output ensretter absorption kredsløb og størrelsen af den primære store kredsløb shunt kapacitans.
For 20M-30MHz:
1. For en klasse af produkter kan bruges til at justere Y2-kapacitansen til jord eller ændre Y2-kondensatorpositionen;
2. Juster Y1 kapacitanspositionen og parameterværdien mellem den primære og sekundære side;
3. Læg kobberfolie på ydersiden af transformeren; tilføj afskærmningslag til transformatorens inderste lag; juster arrangementet af transformatorens viklinger.
4. Skift PCB-layout;
5. Udgangsledning foran tilslutningen af en to-leder parallel vikling af en lille common mode induktor;
6. Output ensretter parallelt med begge ender af RC-filteret og juster de rimelige parametre;
7. Tilføj BEADCORE mellem transformeren og MOSFET'en;
8. Tilføj en lille kondensator til transformatorens indgangsspændingsben.
9. Kan bruges til at øge MOS-drevets modstand.
30M-50MHz:
1. Generelt forårsaget af højhastigheds-tænding/slukning af MOS-røret, kan løses ved at øge MOS-drevmodstanden, RCD-bufferkredsløb ved hjælp af 1N4007 langsom rør, VCC-forsyningsspænding med 1N4007 langsom rør.
2. RCD bufferkredsløb ved hjælp af 1N4007 langsom rør;
3. VCC forsyningsspænding med 1N4007 langsom rør til at løse;
4. Eller udgangslinjens frontende i serie med en to-leder parallel vikling af en lille common mode induktor;
5. Tilslut et lille absorptionskredsløb parallelt med DS-benet på MOSFET'en;
6 . Tilføj BEADCORE mellem transformeren og MOSFET'en;
7. Tilføj en lille kondensator til transformatorens indgangsspændingsben;
8. PCB LAYOUT når den store elektrolytiske kondensator, transformer, MOS udgør kredsløbssløjfen så lille som muligt;
9. transformer, output diode, output fladbølge elektrolytisk kondensator udgør kredsløbsringen så lille som muligt.
