Sådan bruger du et multimeter til måling af et igbt-modul
Først skal du vurdere polariteten
Først og fremmest ringer multimeteret i R × 1K-blokken, målt med et multimeter, hvis en pol og de to andre poler af modstandsværdien er uendelig, skal du skifte pennen, efter at stangen og de to andre poler af modstandsværdien er stadig uendeligt, vurderes det, at denne stang er porten (G). Resten af de to poler og derefter målt med et multimeter, hvis den målte modstandsværdi er uendelig, skift pennen efter målingen af modstandsværdien er mindre. Ved måling af modstandsværdien af en mindre, bedømme derefter den røde pen forbundet til opsamleren (C); sort pen forbundet til emitteren (E).
For det andet, døm det gode og det dårlige
Multimeteret vil blive ringet op i R × 10K-blokken, med den sorte pen forbundet til IGBT's opsamler (C), den røde pen forbundet til IGBT'ens emitter (E), denne gang multimetermarkøren i nulpositionen . Berør porten (G) og solfangeren (C) med din finger på samme tid, så udløses IGBT til at lede, multimeterets pointer svinger i retning af den mindre modstandsværdi, og kan stå for at angive en bestemt position. Rør derefter fingeren på samme tid ved porten (G) og emitteren (E), så blokeres IGBT, multimeterets pointer tilbage til nul. På dette tidspunkt kan du vurdere, at IGBT er god.
Ethvert pointer-multimeter kan bruges til at teste IGBT.
Bemærk, at når man bedømmer IGBT godt eller dårligt, skal multimeteret ringes op i R×10K-blok, fordi multimeterets interne batterispænding er for lav i følgende gear i R×1K-blokken, hvilket ikke kan gøre IGBT ledende når man opdager det gode eller dårlige, og det er ikke muligt at bedømme det gode eller dårlige ved IGBT. Denne metode kan også bruges til at detektere effektfelteffekttransistoren (P-MOSFET) god eller dårlig.
Inverter IGBT-moduldetektion:
Indstil det digitale multimeter til diodetestgearet, test IGBT-modulets diodekarakteristika mellem c1 e1, c2 e2 samt diodekarakteristikken for frem og tilbage mellem gate G og e1, e2 for at vurdere, om IGBT-modulet er intakt eller ej .
Tag seksfasemodulet som eksempel. Belastningssiden af fjernelse af U, V, W fasetråd, brugen af diode test gear, den røde pen forbundet til P (kollektor c1), den sorte pen sekventielt målt U, V, W, multimeteret viser værdien af den største; vil blive vendt, den sorte pen forbundet til P, den røde pen til at måle U, V, W, multimeteret viser værdien på omkring 400. Tilslut derefter den røde pen til N (emitter e2), den sorte pen for at måle U, V, W, multimeteret viser værdien på omkring 400; sort pen til P, rød pen til at måle U, V, W, multimeteret viser værdien af maksimum. De positive og negative egenskaber mellem faserne bør være de samme, hvis der er en forskel mellem IGBT-modulets ydeevne forringelse, bør udskiftes.IGBT-modulet skader, kun sammenbrud af kortslutningssituationen.
Røde og sorte penne blev målt mellem porten G og emitter E positive og negative karakteristika, multimeterets to målte værdier er de største, så kan det bestemmes, at IGBT-modulporten er normal. Hvis der er et numerisk display, forringes portens ydeevne, modulet skal udskiftes. Når de positive og negative testresultater er nul, hvilket indikerer, at detekteringen af en fase af gatepolen er blevet kortsluttet. Når porten er beskadiget, vil spændingsregulatoren på printkortet for at beskytte porten også blive beskadiget.
