De tre elektroder af tyristor kan skelnes med multimeter.
Thyristormodul kaldes også SilicON Controlled Rectifier, SCR). Siden den kom ud i 1950'erne, har den udviklet sig til en stor familie, og dens hovedmedlemmer er ensrettede tyristorer, tovejs tyristorer, lysstyrede tyristorer, omvendte tyristorer, frakoblings-tyristorer, hurtige tyristorer og så videre. I dag bruger man ensrettede tyristorer, som ofte omtales som almindelige tyristorer. De er sammensat af fire lag af halvledermaterialer med tre PN-forbindelser og tre eksterne elektroder: det første lag af P-type halvleder kaldes anode A, det tredje lag af P-type halvleder kaldes kontrolelektrode G, og det fjerde lag af N-type halvleder kaldes katode K.. Som det kan ses af kredsløbssymbolet for tyristor, er det en ensrettet ledende enhed som diode, og nøglen er at tilføje en kontrolelektrode G, hvilket gør, at den har helt andre arbejdsegenskaber fra diode.
Tre elektroder af tyristor kan skelnes med multimeter.
De tre elektroder af fælles tyristor kan måles med R×100 ohm blok af multimeter. Som vi alle ved, er der en pN-forbindelse mellem tyristorerne G og K [Figur 2 (a)], som svarer til en diode, med G som den positive elektrode og K som den negative elektrode. Derfor skal du ifølge metoden til at teste dioder finde ud af to af de tre poler og måle deres positive og negative modstande. Når modstanden er lille, er multimeterets sorte stift forbundet til kontrolelektroden G, den røde stift er forbundet til katoden K, og den resterende er anoden A. For at teste kvaliteten af tyristoren kan du bruge undervisningstavlens kredsløb netop demonstreret (figur 3). Når strømforsyningen SB er tilsluttet, er pæren god, hvis den lyser, og den er dårlig, hvis den ikke gør.
Sådan identificeres tre poler af SCR
Metoden til at identificere de tre poler af SCR er meget enkel. I henhold til princippet om pN-junction skal du bare bruge multimeter til at måle modstanden mellem de tre poler.
Modstanden frem og tilbage mellem anoden og katoden er over flere hundrede kiloohm, og modstanden frem og tilbage mellem anoden og kontrolelektroden er over flere hundrede kiloohm (der er to pN-forbindelser mellem dem, og retningerne er modsatte, så både anoden og kontrolelektroden er blokeret).
Der er en pN-forbindelse mellem styreelektroden og katoden, så dens fremadgående modstand er i området fra flere ohm til flere hundrede ohm, og den omvendte modstand er større end den fremadgående modstand. Styreelektrodens diodekarakteristika er dog ikke ideelle, og den omvendte retning er ikke fuldstændig blokeret, så der kan passere en relativt stor strøm. Derfor er den målte omvendte modstand af kontrolelektroden nogle gange relativt lille, hvilket ikke betyder, at kontrolelektrodens egenskaber ikke er gode. Desuden skal multimeteret, når man måler frem- og tilbagemodstanden for kontrolelektroden, placeres i R*10 eller R*1 for at forhindre, at kontrolelektroden går i omvendt nedbrud på grund af for høj spænding.
Hvis det måles, at elementets anode og katode er kortsluttet, eller anoden er kortsluttet med styreelektroden, eller styreelektroden er kortsluttet med katoden, eller styreelektroden er åben med katoden, er elementet beskadiget.
Silicium kontrolleret ensretter er forkortelsen for silicium kontrolleret ensretter, som er en højeffekt halvlederenhed med tre pN-forbindelser og fire-lags struktur. Faktisk er funktionen af siliciumstyret ensretter ikke kun ensretter, men kan også bruges som en afbryderfri omskifter til hurtigt at tænde eller slukke for kredsløbet, realisere inverteren til at ændre DC til AC og ændre AC af en frekvens til AC af en anden frekvens og så videre. Siliciumstyret ensretter har ligesom andre halvlederenheder fordelene ved lille størrelse, høj effektivitet, god stabilitet og pålidelig drift. Dens udseende har fået halvlederteknologi til at komme ind på området for stærk elektricitet fra området for svag elektricitet, og det er blevet et element, der skal bruges i industri, landbrug, transport, militærvidenskabelig forskning, handel og civile apparater.
