Anvendelser af infrarøde mikroskoper i mikro-enheder i elektronikindustrien
Baggrund Introduktion
Med udviklingen af nanoteknologi er dens top-down miniaturiseringsmetode i stigende grad blevet anvendt inden for halvlederteknologi. IC-teknologi blev tidligere omtalt som "mikroelektronik"-teknologi, fordi størrelsen af transistorer var på mikrometerskalaen (10⁻⁶ meter).
Ikke desto mindre skrider halvlederteknologien hurtigt frem, med en ny generation, der dukker op hvert andet år, og funktionsstørrelserne falder til det halve. Dette er den velkendte Moores lov. For cirka 15 år siden gik halvlederindustrien ind i submikron-æraen, hvor dimensioner er mindre end én mikrometer, efterfulgt af den dybe submikron-æra med funktionsstørrelser langt under én mikrometer. I 2001 var transistordimensionerne endda faldet til under 0,1 mikrometer, nemlig mindre end 100 nanometer. Vi er derfor i nanoelektronikkens æra, og de fleste fremtidige integrerede kredsløb (IC'er) vil blive fremstillet ved hjælp af nanoteknologi.
Tekniske krav
På nuværende tidspunkt er den primære fejltilstand for elektroniske komponenter termisk fejl. Statistikker viser, at 55 % af fejl i elektroniske enheder skyldes temperaturer, der overstiger de angivne grænser. Efterhånden som temperaturen stiger, stiger fejlfrekvensen af elektroniske enheder eksponentielt. Generelt er driftssikkerheden af elektroniske komponenter ekstremt temperaturfølsom. Når enhedens temperatur er inden for området 70–80 grader, reducerer hver 1 grads stigning pålideligheden med 5 %. Derfor kræves hurtig og pålidelig temperaturmåling af komponenter. Da halvlederenheder fortsætter med at krympe i størrelse, stilles der højere krav til temperaturopløsningen og rumlig opløsning af inspektionsudstyr.
