Sådan tester du, om en felt-effekttransistor er god eller dårlig med et multimeter
På grund af tilstedeværelsen af en dæmpningsdiode mellem D-S-polerne på almindeligt anvendte MOSFET'er, kan ydeevnen af MOSFET'er bestemmes ved at bruge diodeniveauet på et digitalt multimeter til at detektere diodespændingsfaldet mellem D-S-polerne. Den detaljerede detektionsmetode er som følger.
Drej gearkontakten på det digitale multimeter til diodetilstand, tilslut den røde sonde til S-polen og den sorte sonde til D-polen. På dette tidspunkt viser multimeterets skærm spændingsfaldsværdien for dioden mellem D-S-polerne. Spændingsfaldsværdien for transistorer med høj-effektfelt-effekt er normalt mellem 0,4 og 0,8V (for det meste omkring 0,6V); Der bør ikke være noget spændingsfald mellem den sorte sonde, der er forbundet til S-polen, den røde sonde, der er forbundet til D-polen, og G-polen og andre ben (f.eks. i en N-kanalfelt-effekttransistor, skal en P-kanalfelt-effekttransistor have en spændingsfaldsværdi, når den sorte D-pol er tilsluttet til den sorte D-pol. Tværtimod indikerer det, at felt-effekttransistoren er blevet beskadiget.
Felteffekttransistorer er normalt beskadiget ved nedbrud, og stifterne er normalt i en kortslutningstilstand. Derfor bør spændingsfaldet mellem stifterne også være OV. Efter hver måling af en MOS-felteffekttransistor oplades en lille mængde ladning på G-S overgangskondensatoren, hvilket etablerer en spænding UGS. Når der måles igen, bevæger stifterne sig muligvis ikke (hvis du bruger et digitalt multimeter, vil målefejlen være stor). Kortslut G-S-polerne kort på dette tidspunkt.
Skaden på felt-effekttransistorer er normalt forårsaget af nedbrud og kortslutning. På dette tidspunkt, måling med et multimeter, er stifterne normalt forbundet med hinanden. Efter at felt-effekttransistoren er beskadiget, er der generelt ingen åbenlyse skader på udseendet. For kraftigt overstrøm beskadigede felteffekttransistorer- kan den eksplodere.
