Soft switching applikationer i switching strømforsyninger
På nuværende tidspunkt er skiftende strømforsyning meget udbredt i næsten alt elektronisk udstyr med egenskaberne lille størrelse, let vægt og høj effektivitet, hvilket er en uundværlig strømforsyningsmetode for den hurtige udvikling af nutidens elektroniske informationsindustri. Det er en uundværlig strømforsyning til den hurtige udvikling af nutidens elektroniske informationsindustri.
Hård switching og soft switching i skiftende strømforsyninger er til at skifte transistorer. Hård kobling er at tænde eller slukke for koblingstransistoren med magt uanset spændingen eller strømmen på koblingstransistoren. Når koblingsrøret (mellem dræn og kilde, eller mellem kollektor og emitter) spænding og strøm er stor, tager koblingen af koblingsrøret på grund af skiftet mellem kobling af rørtilstand (fra ledning til cutoff eller fra cutoff til ledning) en en vis mængde tid, hvilket vil forårsage, at koblingsrørets tilstand skifter i et vist tidsrum, spændingen og strømmen er der et kryds over området, overkrydsningen forårsaget af koblingsrørtabet (koblingsrørets koblingstab) med koblingen frekvens, skifterøret skifte tab. Omskiftningstab (omskiftningstab af koblingsrøret) stiger hurtigt med stigningen i koblingsfrekvensen.
Ved induktive belastninger induceres en spidsspænding, når koblingstransistoren er slukket. Jo højere koblingsfrekvens, jo hurtigere sluk, og jo højere induceret spænding. Denne spænding tilføjes til begge ender af koblingsenheden, hvilket nemt kan få enheden til at gå i stykker.
I tilfælde af kapacitive belastninger er spidsstrømmen i det øjeblik, hvor transistorledningen skifter, høj. Derfor, når koblingstransistoren tændes ved en meget høj spænding, vil al den energi, der er lagret i koblingskapaciteten på koblingstransistoren, blive spredt i enheden i form af strøm. Jo højere frekvensen er, desto større er tændstrømspidsen, som kan forårsage overophedningsskader på koblingsrøret.
Derudover er dioden i det sekundære højfrekvente ensretterkredsløb, fra ledning til afskæring, en omvendt genopretningsperiode, skiftetransistoren i perioden på, det er let at producere en stor startstrøm. Det er klart, at jo højere frekvensen er, desto større er startstrømmen, hvilket er skadeligt for den sikre drift af koblingstransistoren.
Endelig, i omskiftningsstrømforsyningen, der bruges til hård omskiftning, genererer omskiftningstransistoren alvorlige elektromagnetiske gener. Efterhånden som frekvensen stiger, og di/dt og du/dt i kredsløbet stiger, øges den genererede elektromagnetiske gener også. Efterhånden som frekvensen stiger, og di/dt og du/dt i kredsløbet stiger, stiger den genererede EMI også, hvilket påvirker den normale drift af selve omskiftningsstrømforsyningen og det omgivende elektroniske udstyr.
Ovennævnte problemer hindrer alvorligt forbedringen af driftsfrekvensen for omskiftningsanordninger (omskiftningstransistorer og højfrekvente ensretterdioder). I de senere år har forskningen i soft switching-teknologi givet en effektiv måde at overvinde ovennævnte defekter. Den soft switching-teknologiske forskning udført i de seneste år giver en effektiv måde at overvinde ovennævnte defekter. I modsætning til hard switching-princippet er den ideelle bløde sluk-proces, at strømmen falder til nul først, og spændingen stiger langsomt til off-state-værdien, så sluk-tabet reduceres. Sluktabet er cirka nul, fordi strømmen allerede er faldet til nul, før enheden slukkes. Da strømmen allerede er faldet til nul, før enheden slukkes, er det induktive sluk-problem løst. Den ideelle bløde tændingsproces er en, hvor spændingen først falder til nul, og strømmen stiger langsomt til off-state værdien. Den ideelle bløde tændingsproces er, at spændingen først faldt til nul, strømmen stiger langsomt til værdien til tændt tilstand, så tændingstabet er cirka nul, enhedens koblingskapacitetsspænding er også nul, hvilket løser den kapacitive tænding problem. Samtidig er diode-reverse recovery-processen overstået ved tænding, så problemet med diode-reverse recovery eksisterer ikke.
Soft-switching-teknologien bidrager også til at reducere elektromagnetiske gener, fordi switchtransistoren leder ved nulspænding og slukker ved nulstrøm, mens hurtiggendannelsesdioden også er soft-off.
Samtidig er hurtiggendannelsesdioden også blødt slukket, hvilket kan reducere strømenhedens di/dt og du/dt betydeligt, og dermed kan niveauet af EMI reduceres.
